ENG2009.8.25 開催：第31回ISIT技術セミナー
■テーマ
「SiCパワー半導体デバイスの開発動向」
■日時
平成２１（2009）年８月２５日(火) １５：３０～１７：３０
■会場
福岡SRPセンタービル ２階 SRPホール
福岡市早良区百道浜２－１－２２
■講師
四戸 孝 （しのへ たかし） 氏
株式会社東芝 研究開発センター
電子デバイスラボラトリー研究主幹
■内容
パワー半導体デバイスは、各種電源、インバータエアコンからハイブリッド自動車、新幹線など社会のあらゆる分野で使われ、省エネ・環境保全のキーデバイスとしてますます重要性が高まっている。現在使われている Si 半導体はデバイス構造の工夫や独自のプロセス技術の開発により目覚しい進歩を遂げてきたが、その性能改善は限界に近づいてきている。そのような状況の中で、ポスト Si パワー半導体材料として注目されてきた SiC がウェハ品質の向上、プロセス技術の進展により、俄かに現実味を帯びてきた。
本講演では、SiCパワー半導体デバイスの特徴、パワーエレクトロニクス機器へ適用する際の基本的な考え方、実際の適用研究例、技術課題を紹介しました。
■講師プロフィール
1981年 東北大学大学院 理学研究科修士課程終了 (株)東芝に入社
同社研究開発センターにて一貫してパワー半導体デバイスの
研究開発に従事。
この間に GTO、MOSゲートサイリスタ、IGBT、ダイオード、
SiC パワー半導体デバイスなどの研究開発に従事
現在に至る
■主催
(財)九州先端科学技術研究所(九州先端研 ISIT)
■後援
福岡市
■参加者
45名